Bellek çipleri atom tekniği ile şarj olacak

IBM ’in yeni buluşu: Bellek çipleri atom tekniği ile şarj olacak!
IBM ’li bilim adamları*küçük iyon akımlarını kullanarak, çipleri çalıştırmanın yeni yolunu keşfettiler Atomik ölçek boyutlarını kavrayış ve denetim edebilme yeteneği, günümüzün silikon bazlı data teknolojileri yerine en ince ayrıntısına kadar ayrı ilkelere göre çalışan yeni malzemeler ve aygıtlar tasarlamanın önünü açıyor
*
IBM, araç gereç biliminde atom düzeyinde çığır açan bir inovasyon duyurdu Bu*keşif günümüzün silikon bazlı aygıtlarından daha az zor kullanacak silinmeyen yeni bir alıcı bellek ve mantık çipi sınıfı yaratacak bir zemin oluşturmaya aday
*
IBM laboratuvarlarındaki bilim*adamları mevcut yarıiletken aygıtları çalıştıran geleneksel elektrik yöntemi yerine küçük iyon akımlarını kullanarak, çipleri çalıştırmanın yeni bir yolunu keşfettiler Bu minik iyon akımları, insan beyninin egzersiz şekli olan, olaya dayalı işleyiş biçimini taklit edebilen yüklü atom akışları olarak nitelendirilebilir
*
Geçit elektrotu ve oksit kanalı üzerindeki IL damlacığıyla tipik iyonik sıvı (IL) geçitli aygıtın optik görüntüsü Altın rengi koruyucu pedler, kablo bağlantıları yoluyla aygıtla temas hazırlamak için kullanılır Sağda, kanalı (kahverengimsi sarı) ve altın elektrik kontaklarını (aydınlık sarı) gösteren aygıtın büyütülmüş görüntüsü bulunur Kanalın sağ ve solundaki kontaklar, kaynak ve boşaltma kontaklarıdır Öteki dört kontak, 4 tel direnci ve Hall ölçümleri için kullanılır* (Kaynak: IBM)
*
Günümüzde bilgisayarlar genellikle CMOS süreç teknolojileriyle yapılan yarıiletkenleri kullanıyor ve uzun zamandır bu çiplerin her iki yılda bir performanslarının iki katına çıkacağı, boyutlarının küçüleceği ve maliyetlerinin azalacağı düşünülüyor Ama CMOS çiplerini geliştirmek ve yapı etmek için gereken malzemeler ve teknikler, çabuk bedensel ve performans sınırlarına yaklaşıyor Dolayısıyla da, yüksek performanslı ve düşük kuvvet tüketimli aygıtlar geliştirecek yeni çözümlere karşın ihtiyaçların yakın dönemde ortaya çıkacağı öngörülüyor
*
IBM ’li bilim insanları, izolatör ve geçirgen haller arasında metal oksitlerin aksine çevrilebilir biçimde dönüştürülmesinin olası olduğunu gösterdi Bu dönüştürme, oksit istikrarsız ara yüzlerindeki elektrik alanları kanalıyla oksijen iyonlarının eklenmesi ve kaldırılmasıyla sağlanıyor
*
Yapısı itibariyle yalıtkan olan oksit malzemeler, iletken duruma dönüştürüldüklerinde IBM deneyleri, aygıta bahşedilen zorlama kesildiğinde bile malzemelerin sabit metal halini koruduğunu kanıtladı Silinmeyen bu özellik, yeni geliştirilen metotla çalışan aygıtları kullanan çiplerin verileri daha bereketli ve değişmez elektrik akımlarıyla depolayacakları ve aktaracakları anlamına geliyor* Bu daimi özellik, bu yeni yöntemi kullanarak çalışan çipli cihazların verileri daha etkin ve olaytemelli olarak depolayabilecekleri ve kullanabilecekleri anlamına geliyor* Bu Nedenle cihazlardaki metal hali korumak için sabit elektrik akımlarında tutulmasına lüzum kalmıyor
*
Malzeme biliminde atom düzeyinde çığır açan bu yeniliği değerlendiren IBM Türk Teknoloji Lideri Kıvanç Yumuşak Başlı açıklıyor: “Atom ölçeğinin boyutlarını kavrayış ve denetleme edebilme yeteneğimiz, günümüzün silikon bazlı bilgi teknolojileri yerine tamamen farklı ilkelere kadar çalışan yeni malzemeleri ve aygıtları tasarlamamızı sağlar Maddenin halini tersine çevrilebilir biçimde kontrol etmek için mevcut siklet tabanlı aygıtlardan çok ufak iyon akımlarını kullanan aygıtlara aşmak, yeni tipte mobil cihazların görünme potansiyelini de yaratıyor Üç boyutlu yepyeni mimarilerde bu aygıtların ve kavramların kullanılması, data teknolojisi sektörü açısından da çok kayda değer bir gelişmedir
*
Çığır açan bu yeniliğe varmak için IBM araştırmacıları, izolatör bir oksit malzeme olan vanadyum dioksite pozitif yüklü iyonlu değişken elektrolit uyguladılar ve başarılı bir şekilde metale çevirdiler Orijinal yalıtkan durumuna çevirmek için olumsuz yüklü iyonlu bir akışkan elektrolit uygulanana değin madde, metal halini korudu
*
Uzun senelerdir metalden yalıtkana geçiş malzemeleri için metaller üzerine ayrıntılı çalışmalar yapılıyor Ancak, daha önce elde edilen sonuçların aksine IBM yoğun elektrik alanlarına maruz kaldığında oksit malzemenin durumundaki değişikliğin sebebinin metal oksitlere oksijen eklenmesi ve kaldırılması olduğunu ortaya çıkardı
*
İletkenden izolatör duruma geçiş, daha önceleri sıcaklığın değiştirilmesi veya dış basınç uygulanmasıyla gerçekleştirilmişti Fakat her iki yöntemin de aygıt uygulamaları için uygun olmadığı görülmüştü