elektronikci
FD Üye
Intel, geçen yılın sonlarında makul 4. jenerasyon Xeon Ölçeklenebilir ‘Sapphire Rapids’ işlemcilerin HBM belleğe ve çok yongalı dizayna sahip olacağını resmen onaylamıştı. Lakin şirket hiçbir vakit HBM ile donatılmış gerçek bir CPU göstermedi yahut DRAM yapılandırmasını açıklamadı. Bu hafta başlarında IMAPS’in konut sahipliği yaptığı Milletlerarası Mikroelektronik Sempozyumu’nda nihayet HBM’li yongalar sergilendi ve çoklu yonga tasarımı tam olarak doğrulandı.
Sapphire Rapids işlemciler muhtemelen HBM2E bellek tipini kullanacak ve ayrıyeten DDR5 dayanağı sunacak. Görünen o ki dört Sapphire Rapids yongasının her biri, iki adet 1024 bit arabirim (2048 bitlik bir bellek veriyolu) kullanan iki HBM bellek yığınına sahip. JEDEC’in HBM2E spesifikasyonu resmi olarak 3,2 GT/s bilgi transfer suratı sunuyor. Fakat geçen yıl SK Hynix, 3,6 GT/s süreç için derecelendirilmiş 16 GB 1024 pinli yongaların seri üretimine başladı.
Intel bu cins yongaları tercih ederse, HBM2E bellek Sapphire Rapids CPU’ya 3,68 TB/sn üzere yüksek bellek bant genişliği (veya kalıp başına 921,6 GB/sn) sağlayacak, fakat sırf 128 GB bellek için.
Intel’in Sapphire Rapids işlemcileri, data merkezleri ve üstün bilgisayar iş yükleri için tasarlanmış CXL 1.1 protokolüne sahip PCIe Gen 5 takviyesi, DDR5, HBM’yi destekleyen bir hibrit bellek alt sistemi, Intel’in Gelişmiş Matris Uzantıları (AMX) ve ayrıyeten tasarlanmış AVX512_BF16 ve AVX512_VP2INTERSECT yönergeleri dahil olmak üzere bir dizi yeni teknolojiye sahip olacak.
Yeni CPU’lar, monolitik olan mevcut dizaynların bilakis, kalıplar ortasında EMIB orta irtibatlarına sahip çok çipli bir paket tasarımı kullanacak. Sapphire Rapids-SP, standart ve HBM konfigürasyonu olmak üzere iki biçimde piyasaya çıkacak.