Forumda yenilikler devam etmektedir , çalışmalara devam ettiğimiz kısa süre içerisinde güzel bir görünüme sahip olduk daha iyisi için lütfen çalışmaların bitmesini bekleyiniz. Tıkla ve Git
x

Son konular

Samsung, 176 Katmanlı V-NAND PCIe 4.0 ve 5.0 SSD’ler Hazırlıyor

Samsung, 176 Katmanlı V-NAND PCIe 4.0 ve 5.0 SSD’ler Hazırlıyor
0
52

Garfield

FD Üye
Katılım
Ocak 9, 2022
Mesajlar
42,750
Etkileşim
1
Puan
36
Yaş
46
F-D Coin
80
Samsung-176-Katmanli-V-NAND.jpg

Samsung, 2013 yılında V-NAND olarak adlandırılan ilk seri üretim 3D NAND belleği, rakiplerinin çok önünde piyasaya sürmüştü. O zamanlar 24 katmanlı V-NAND yongaları ile başlayan Samsung, şimdi çok katmanlı flash bellek konusunda oldukça deneyim kazandı. Öyle ki şirket, önümüzdeki günlerde 176 katmanlı V-NAND cihazlarını piyasaya sürmeye hazırlanıyor. Ancak bunun da sadece başlangıç olduğunu hemen belirtelim. Zira Samsung, gelecekte 1000’den fazla katmana sahip V-NAND yongaları öngördüğünü söylüyor.

Samsung, 176 katmana sahip yedinci nesil V-NAND belleği ve şirkete göre endüstrinin en küçük NAND bellek hücrelerine sahip tüketici SSD’leri üretmeye başlamayı planlıyor. Piyasaya sürülecek yeni flash’ın arabirimi, 2000 MT/sn veri aktarım hızına sahip. Ayrıca Samsung’un, PCIe 4.0 ve PCIe 5.0 arabirimleriyle ultra hızlı SSD’ler oluşturmasına da olanak tanıyor. Sürücüler, devasa iş yüklerinde çok görevler için optimize edilmiş, tamamen yeni bir denetleyici kullanacak. Bu nedenle yeni SSD’leri, iş istasyonu uygulamalarında güçlü performans sergileyen bir 980 Pro halefi olarak görmek de mümkün.

Samsung-176-Katmanli-V-NAND2-640x271.jpg


176 katmanlı V-NAND yongaları seri üretime yaklaşırken, Samsung sekizinci nesil V-NAND’ın ilk örneklerini de 200’den fazla katmanla oluşturuyor. Şirket, pazar talebine göre bu yeni belleği de üretmeye başlayacağını söyledi. Şirketler genellikle 12 ila 18 ayda bir yeni NAND cihaz türlerini piyasaya sunmakta. Böylelikle Samsung’un 200’den fazla katmana sahip V-NAND için planladığı zaman çizelgesi hakkında da tahminler yapmak kolaylaşıyor.

Bununla birlikte Samsung ve diğer NAND üreticilerinin, katman sayısını artırma arayışlarında karşılaştıkları çeşitli zorluklar da bulunuyor. NAND hücrelerini küçük ve katmanları daha ince yapmak, verileri güvenilir bir şekilde depolamak için yeni malzemeler kullanmayı gerektiriyor. Ayrıca, yüzlerce katmanı aşındırmak da oldukça zor.

Son olarak, flash üreticilerinin 3D NAND yığınlarının akıllı telefonlara ve PC’lere sığacak kadar ince olduğundan emin olmaları gerektiğini belirtelim. Bu nedenle üreticiler katman sayısını sonsuza kadar artıramazlar. Ancak Samsung, 1000’den fazla katman yongasının uygulanabilir olduğuna inanıyor.
 

Similar threads

SK Hynix, daldaki en yüksek katman sayısına ulaşarak 238 katmana sahip 3D NAND yongaların üretimine başlayacağını duyurdu. Yeni 512 Gb (64 GB) çiplerle inşa edilen eserlerin epeyce ucuz olacağı söyleniyor. Ayrıyeten 238 katmanlı 512 Gb 3D NAND tabanlı eserler, çok sayıda katmana sahip flash...
Cevaplar
0
Görüntüleme
88
Micron, yatırımcılarla yaptığı bir toplantıda şu an için en gelişmiş teknoloji olarak öne çıkan 232 katmanlı NAND Flash tahlilini tanıttı. Bellek üreticisi, toplam 232 katman elde etmek ve bir çift TLC yığını oluşturmak için platform olarak şirketin CMOS Under Array (CuA) ismini verdiği tekniği...
Cevaplar
0
Görüntüleme
44
Samsung, PCIe 5.0 x4 arabirimine sahip kurumsal sınıf SSD’leri hakkında bazı ön ayrıntıları yayınladı. SSD’ler, AMD’nin EPYC Genoa ve Intel’in Sapphire Rapids gibi ilk PCIe 5.0 destekli kurumsal platformların piyasaya çıktığı dönemde, E3.S 1T form faktöründe satışa sunulacak. ServeTheHome’a göre...
Cevaplar
0
Görüntüleme
40
Corsair, Gigabyte ve Goodram üzere üreticiler, son birkaç hafta içinde Phison’ın E26 kontrolcüsüyle çalışan PCIe 5.0 SSD’lerini tanıtmışlardı. Corsair ve Goodram’in şoförleri 10 GB/sn’lik azamî sıralı okuma suratı sunarken, Gigabyte’ın Aorus serisi 12.5 GB/sn’ye kadar ulaşabiliyor. Bunun bir...
Cevaplar
0
Görüntüleme
145
Micron, 232 Katmanlı TLC NAND sevkiyatına başladığını ve en yüksek katman sayısına sahip çiplerle birlikte kesimde başkan pozisyonda olduğunu duyurdu. Kesimde en yüksek yoğunluğu sağlayan NAND flaş yongalar, tek bir NAND yonga paketinde 2 TB’a kadar depolama sağlayabiliyor. Bellek devi...
Cevaplar
0
Görüntüleme
114
858,496Konular
981,661Mesajlar
29,729Kullanıcılar
DakaskSon üye
Üst Alt