Samsung, 5 nm EUV Geliştirme Sürecini Tamamladı

Samsung, bugün yaptığı duyuruda 5 nm FinFET geliştirme sürecinin tamamlandığını ve müşteri örneklerinin hazır olduğunu söyledi. Şirket, DRAM (Dinamik RAM) pazarının düşüşte olmasına karşın eser yelpazesine yeni bir teknoloji daha ekledi.

Yarı iletken pazarındaki umumi fikir birliği, Samsung’un bu sene içerisinde liderlik koltuğunu Intel’e bırakacağı cihetinde. Bununla ilgili birinci kestirimler IC Insights ve Gartner’dan geldi. DRAM pazarındaki sorun, bellek fiyatlarındaki düşüşe karşın talebin beklenen seviyeye gelmemesi.


Samsung ise bu endişelere bu ortamda çıkardığı yeni eserlerle karşılık vermeyi tercih etti. Şirketin son aylarda çıkardığı teknolojiler arasında aşağıdaki eserler bulunuyor.

• Birinci LPDDR5 SDRAM modülü
• Birinci eMRAM
• Birinci HBM2E entegrasyonlu eseri
• Birinci üçüncü nesil 10 nm sınıfı (1z-nm) 8 GB DDR4 DRAM

Güney Koreli teknoloji devi, birebir devranda Hwaesong’daki yeni fabrikasına yaptığı yatırımları iki katına çıkarmayı düşünüyor. Şirket, bunlara ek olarak 5 nm EUV (aşırı ultraviyole litografi) teknolojisini de listesine ekledi. Samsung, yaptığı açıklamada 5 nm EUV sürecini tamamladığını söyledi ve var olan 7 nm sürece teknolojisiyle şöyle kıyasladı: “%20 daha az kuvvet tüketimiyle birlikte %25 daha ziyade verimlilik sağlıyor. Standart hücre mimarisi geliştirme sürecinin sonucunda %10 daha yüksek performans veriyor.”

Şirket ayrıyeten fikir haklarının birçoklarının tekrar kullanılabileceğini açıkladı. Yani bu; müşterilerin azalan taşıma maliyetlerinden ve önceden onaylanmış tasarım ekosisteminden daha ziyade yararlanmasına olanak tanınacağı dolayısıyla 5 nm eser geliştirme sürecinin kısalacağı manasına geliyor.