Samsung 8nm RF Çip Teknolojisi İçin Geliştirme Süreci Tamamlandı

Gelişmiş yarı iletken teknolojisinde dünya lideri olan Samsung Electronics, bugün 8 nanometre işlemine dayalı en yeni radyo frekansı (RF) teknolojisini tanıttı. Tanıtılan bu son teknoloji, özellikle çok kanallı ve çok antenli çip tasarımlarını destekleyen 5G ağlar için tek çipli bir çözüm sağlaması bekleniyor. Samsung’un 8nm RF ürünleri, şirketin 5G yarı iletken pazarındaki liderliğini, 6GHz altı uygulamalardan mmWave uygulamalarına genişletmesini sağlaması da öngörüler arasında.

Samsung’un 8nm RF üretim teknolojisi, 28 nm ve 14 nm tabanlı RF dahil olmak üzere, halihazırda geniş olan RF ile ilgili çözümler portföyüne eklenen en son ürün olarak dikkat çekiyor. Şirket, 2017’den bu yana premium akıllı telefonlar için 500 milyondan fazla mobil RF çipinin satışıyla RF pazar liderliğini kurmuştu. Samsung Electronics’te Döküm Teknolojisi Geliştirme Ekibi Ustası Hyung Jin Lee, “İnovasyon ve süreç üretimindeki mükemmellik sayesinde, yeni nesil kablosuz iletişim tekliflerimizi güçlendirdik” diyor. Ayrıca, Samsung’un 8 nm RF teknolojisinin, kompakt mobil cihazlarda uzun pil ömrü ve mükemmel sinyal kalitesi arayan müşteriler için harika bir çözüm olacağını da iddia ediyor.



Gelişmiş düğüm teknolojileri ile dijital devreler, performans, güç tüketimi ve alan (PPA) açısından önemli ölçüde iyileşiyor. Buna bağlı olarak yeni teknoloji, RF çip alanında yüzde 35’lik bir azalma ile güç verimliliğinde yüzde 35’e varan bir artış sağlıyor. Bunun yanı sıra, analog RF blokları, artan direnç gibi dejeneratif parazitler nedeniyle böyle bir gelişme görmedi. Samsung, analog RF ölçekleme zorluklarının üstesinden gelmek için daha az güç kullandığı halde RF özelliklerini önemli ölçüde iyileştirebilen RFextremeFET (RFeFET) adlı 8nm RF’ye özel bir mimari geliştirdi.

Son olarak, Samsung’un yeni üretim teknolojisi ile parazitleri en aza indirdiğini ve kanal hareketliliğini en üst düzeye çıkardığını belirtelim.