Türkiye'nin en güncel forumlardan olan forumdas.com.tr'de forumda aktif ve katkısı olabilecek kişilerden gönüllü katkıda sağlayabilecek kişiler aranmaktadır.
Samsung tarafından Manyetoresistif Rastgele Erişimli Bellek (MRAM) tabanlı dünyanın birinci bellek içi bilgi süreç teknolojisi sergilendi. Şimdiye kadar, MRAM’in öbür teknolojilere nazaran daha fazla güce aç olmasını sağlayan düşük direnç nedeniyle kullanımı zordu. Öte yandan, yeni bir makalede Samsung bu mahzurun üstesinden gelmek için çalışıyor.
Makalenin muharrirlerinden Dr. Seungchul Jung, MRAM’in yararlarını ve yeni jenerasyon yapay zeka çip teknolojilerinde nasıl yararlı olabileceğini açıkladı:
“Bellek içi hesaplama, beyinde biyolojik anılar ağı yahut nöronların birbirine temas ettiği noktalar olan sinapslar içinde de meydana gelmesi manasında beyne benzerlik gösterir. Aslında, şu anda MRAM ağımız tarafından gerçekleştirilen hesaplamanın beyin tarafından gerçekleştirilen hesaplamadan farklı bir emeli olsa da bu tıp katı hal bellek ağı gelecekte beynin sinaps kontağını modelleyerek beyni taklit etmek için bir platform olarak kullanılabilir. ”
Bu atılımı gerçekleştirmek için Samsung araştırmacıları, ‘geçerli toplam’ bellek içi bilgi süreç mimarisini yeni bir ‘direnç toplamı’ bellek içi bilgi süreç mimarisiyle değiştiren bir MRAM dizi yongası geliştirdiler. Bir yapay zeka bilgi süreç gösteriminde çip, elle yazılmış sayıları tanımlamada yüzde 98 doğruluk elde ederken sahnelerdeki yüzleri algılamada yüzde 93 doğruluk elde etti.
Samsung çalışma suratı, dayanıklılık ve donanımı büyük ölçekte üretme kolaylığı üzere avantajları nedeniyle MRAM’in direncini artırmakla ilgileniyor.
