Samsung, yarı iletken bellek yongaları üretiminde dünya lideri olma unvanını taşıyor. Şirket şimdi de yeni nesil Samsung otonom araçlar için dört adet yeni çipin seri üretimine başladığını açıkladı. Şirketin yeni serisinde bir SSD, bir UFS depolama yongası, GDDR6 grafik belleği ve DDR4 RAM yer alıyor. Güney Koreli firmanın yeni 256GB PCIe Gen.3 NVMe SSD, 2GB DDR4 DRAM, GDDR6 DRAM ve 128GB UFS depolama ürünleri, yeni nesil araç içi bilgi-eğlence sistemleri için tasarlanmış.
Şirket, Samsung otonom araçlar için kullanılmak üzere yüksek çözünürlüklü haritaların, video akışının ve 3D oyunların popülaritesinin arttığını belirtiyor. Şirketin yeni bellek yongaları ile hedeflediği şeyin de bu olduğu söylenmekte. Samsung’un 256GB BGA SSD’si 2.100MB/s sıralı okuma hızlarına ve 300MB/s sıralı yazma hızlarına sahip. Bu değerler, şu anda otomobillerde kullanılan eMMC depolama yongalarının sunduğu hızların sırasıyla 7 ve 2 katı olarak nitelendirilebilir.
Şirketin yeni 2GB GRRD6 DRAM ürünü, pin başına 14GB/sn veri aktarım hızları sunmakta. Bu değer, karmaşık multimedya uygulamalarını, büyük miktarda otonom sürüş verisini ve çoklu kamera girişlerini işlemek için oldukça önemli bir değer olarak dikkat çekiyor. Bunun yanı sıra, şirketin yeni otomotiv bellek ürünlerinin AEC-Q100 kalifikasyonuna sahip olduğu belirtiliyor. Bu da küresel otomotiv güvenilirlik testlerini geçtikleri ve otomotiv yarı iletkenleri için önemli olan aşırı sıcaklıklarda çalışabilme yeteneklerine sahip olduklarını gösteriyor.
Son olarak Samsung’un yeni çipleri ne zaman kullanıma sunacağı ile ilgili henüz bir bilgi paylaşmadığını belirtelim.