Samsung, Yakında Hacimli 3nm Yonga Üretimine Başlıyor

Samsung, bu çeyrekte 3GAE (3nm sınıfı-class gate all-around early) sürecini kullanarak yüksek hacimli üretime başlama yolunda olduğunu duyurdu. Böylece sırf sanayinin birinci 3nm sınıfı üretim teknolojisi değil, tıpkı vakitte çok taraflı alan tesirli transistörler (GAAFET) birinci sefer kullanılmaya başlayacak.

3GAE süreci, şirketin resmi olarak çok köprü kanallı alan tesirli transistörler (MBCFET) olarak isimlendirdiği GAA transistörlerini kullanan birinci şirket içi teknoloji. Samsung, yaklaşık üç yıl evvel 3GAE ve 3GAP tekniğini resmi olarak tanıtmıştı.

Teknoloji devi, 3GAE teknolojisi kullanılarak ürettiği 256Mb GAAFET SRAM yongasını tanım ederken bir ekip tezlerde bulundu. Güney Koreli şirket sürecin %30 performans artışı, %50 güç verimliliği ve %80’e kadar daha yüksek transistör yoğunluğu (bir mantık ve SRAM transistör karışımı dahil) sağlayacağını söyledi. Fakat bu geliştirmelerin son eserlerde performans ve güç tüketimine nasıl katkıda bulunacağını vakit içinde göreceğiz.



Yeni bir transistör yapısına geçiş süreci, büsbütün yeni araçların yanı sıra orijinal bir üretim sürecini içerdiğinden ötürü hayli riskli. Öbür zorluklar ortasında ise yeni süreçlerle birlikte tanıtılan ve yeni elektronik tasarım otomasyonu (EDA) yazılımı tarafından ele alınan yeni yerleştirme metodolojileri, kat planı kuralları ve yönlendirme kuralları yer alıyor. Son olarak, çip tasarımcılarının hayli değerli olan büsbütün yeni bir IP geliştirmeleri gerekiyor.