Transistör Nedir? Transistörün Çalışması Nasıldır?

Transistör ilk olarak 1947 yılında, elektroniğin temek yapı taşı olarak William Shockley başkanlığında, John Bardeen ve Walter Brattain ile oluşan güçlü bir ekip tarafından yapılmıştır
Bardeen ve Brattain ikilisi, radyo ve telefon sinyallerinin alınması, güçlendirme ve yansıtılmasında kullanılan termiyonik denen kapaklara aleyhinde bir seçenek bulmak için uğraşmakatadırlar, ve tez kırılan ve epeyce pahalıya mülk olan bu lambaların, ısınması içinde belli bir zaman geçmesi gerekiyordu Hem bu sistem fazla artı elektrik tüketimine sahipti
Ekip transistörü başlangıçta, germanyum denen güya iletken tabakadan yapmış olup, bunu radyo devresine takmışlardır Bu sayede daha eksik enerji ile, ses sistemi olduğundan daha artı yülseltilmiştir
Önceleri bu küçük elektronik devre elemanının, lambanın yerini alabileceğini kimse inanmıştı, fakat işlevselliğini görünce, benimsemeye başladılar 1952 yılında ise, transistörün boyutu, orjinal boyutunun 110 ’a kadar küçültülüp, daha da güçlendirilmiştir
Lakin daha sonraları, Ge ’un yüksek sıcaklıklara dayanamadığı fark edildi Ve Ge gibi sözde iletken madde olan, Si (silisyum) tabakası kullanmaya başladılar Ve akımı, saniyenin 100 milyonda 1 i dek (epeyce kısa bir süre) iletebilen bir transistör yapıldı Ve bu elektronik devre elemanı bir uçtan bir uca, bir fazla elektronik aygıt hayatımızı kolaylaştırdı
Birincil transistör örneği;

Transistör ün Alıştırma Prensibi
Devrenin girişine uygulanan sinyali yükseltir ve devrede cereyan gerilim kazancı sağlar Gerektiğinde anahtarlama olarak da kullanılan bir benzeri iletken devre elamanıdır
Bipolar Junction Transistör (BJT), çift yüzeyli transisör olup, 2 tane N, 1 tane P (NPN) ya da 2 tane P, 1 tane N (PNP) birleşiminden oluşur
Transistörler 3 kutuplu devre elemanıdır ve devre sembolü üstünde orta yelken direği olan Beyz (B) kutubu, okun olduğu gönder Emiter (E) ve diğer kalan sırık ise kollektör (C) kutubu olarak adlandırılır
Beyz (B), Emiter (E) ve Kollektör (C) birbirleri ile alakalı olup, Beyz (B) cereyan şiddetine kadar Kollektör (C) ve Emiter (E) akımı ayarlanır Bu yapılan akort akımı, kazanç faktörüne göre değişmektedir
Transistörün Çalışması İçin Gerekli Şart;
– Beyz (B) ve Emiter (E) kutubu dürüst yönde, Beyz (B) ve Kollektör (C) kutbu ters yönde polarlanmalıdır Bu egzersiz biçimine ise transistörün etkin bölgede çalışması adı verilir
– Beyz (B) akımı olmadan, Emiter (E) ve Kollektör (C) kutbundan cereyan geçmez, bu olaya transistör kesimdedir denir
– PN jonksiyonlarının karakteristiği, transistörün çalışması için oldukça önemelidir Yani Silisyum katmanlı transistör ’ün çalışması için 07 volt luk eşik gerilimi, Germanyum katmanlı transistör için ise, 03 voltluk eşik gerilimine ihtiyaç vardır
Derhal ise transistörün üstünlüklerine bakalım;
– Oldukça küçüktür ve daha az enerji harcar
– Çok daha uzun çalışma ömrüne sahiptir
– Her an çalışabilme özelliği vardır
– Alıştırma voltajları fazla düşüktür, Pille bile alıştırma özelliğine sahiptir
– Lambalar gibi, patlama ve kırılma özelliğine sahip değillerdir
– Üretimi ucuz ve kolaydır
Transistörün Alıştırma Bölgeleri

Aktif Bölge; Beyz (IB) akımının sıfırdan büyük ve kollektör (C) ve emiter (E) kutuplarının sıfır (0) volttan olduğu, yani VCE0 bölgesidir*Transistörün faal bölgede çalışabilmesi için, Beyz (B) Emiter (E) kutup içten, Kolektör (C) Beyz (B) kutbu ise zıt polarlanmalıdır Etkin bölgede transistörün çıkış akımı, başta Beyz (B) akımına (IB), eksik miktarda Kollektör (C) Emiter (E) gerilimine (VCE) bağlıdır
Kesim Bölgesi; Beyz akımı sıfır olduğunda (IB 0), Beyz (B) – Emiter (E) gerilimi de sıfır (0) olacağından (VBE 0) devrede kolektör akımı olmayacaktır Bu durum ise, transistörün kesimde olduğunu gösterir
Kolektör (C) Emiter (E) kutupları olduğundan fazla daha artı dayanıklılık gösterir, yani akımın akmasına müsade vermez Transistörün Kollektör Emiter gerilimi (VCE), besleme gerilimi ise VCC değerine eşit olur
Kolektörden sadece ICO ile kayıtlı çok minik bir cereyan akar ve bu akıma “akıntı akımı denir
Doyum Bölgesi; Transistöre uygulanan beyz akımı (IB) artırıldığında, Kolektör akımı (IC) artacatır (IC beta*(IB)) Dolayısıyla, VCE gerilimi azalacaktır Çünkü, IC akımının artması, RC yük direnci üzerinden gerilim düşümünü artıracaktır (VCE VCCICRC) Kolektör Emiter gerilimi doyum değerine ulaştığında, Beyz Emiter kutbu doğru yönde polarlanacaktır
sonuç olarak IB değeri daha fazla yükselse bile, IC değeri artmayacak ve yani VCE 0 olcaktır Bu olaya transistör doyumdadır denir
Transistör Çeşitleri;
– Anahtarlama devre transistörleri
– Osilatör devre transistörleri
– Yükseltici devre transistörleri
Transistörler, kullanılan malzemeye tarafından de ikiye ayrılır;
– PNP
– NPN
Anahtarlama devre transistör örneği;

Osilatör devre transistörleri;

Transistörler hakkında, küçük bir video;